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DZS-500电子束蒸发设备
◆设备用途
可用于Au, Ni, Ag, Ti, Al, Cr和Mo等金属以及氧化物(ITO等)在基片上均匀沉积多层膜
◆设备组成
系统主要由沉积室、 考夫曼溅射离子源、 考夫曼清洗辅助离子源、 样品台、 样品加热装置、膜厚监测系统、 泵抽系统、 真空测量系统、 气路系统、 电控系统等组成。
◆技术指标
极限真空度： 6.6x10-5 Pa
膜厚均匀性： ≤ ±5%
样品最大尺寸：8英寸晶圆
转速： 3–30 rpm/m
样品加热温度：室温~300°C
温度均匀性：≤ ±10°C
